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      漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      65

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      70

      最大（dà）漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

      47

      通道极（jí）性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-247-3L/-55~125

      描述：

      650V,70mΩ,47A,N沟道（dào）基于超级结技术（shù）的功率MOSFET


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